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Structure and photoelectrical properties of SiO2/Si/SiO2 quantum wells prepared under ultrahigh vacuum conditions

Veranstaltungsbeitrag › Vortrag › 2007

Veranstaltung

22nd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS)
Breckenridge CO, USA , 19.08.2007 - 24.08.2007

Ergänzende Angaben

Vortrag (Bert Stegemann, Andreas Schoepke, Manfred Schmidt)